HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測器

通過將**的光電二極管與經過驗證的出色的FEMTO GHz放大器技術相結合，我們設計了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設計，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測量μW范圍內的光功率水平。

實驗應用：

光譜

快速脈沖和瞬態(tài)測量

光學觸發(fā)

用于示波器和A / D轉換器的光學前端（O / E轉換器）

HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測器

超快光接收器系列hspr-x和hsa-x-s系列特征

Si-PIN和InGaAs-PIN光電二極管

波長范圍為320至1700 nm

超寬帶寬，從10 kHz到2 GHz

ZUI大轉換增益4.75 x 103 V / W.

ZUI小NEP 11 pW /√Hz

通過將**的光電二極管與經過驗證的出色的FEMTO GHz放大器技術相結合，我們設計了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設計，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測量μW范圍內的光功率水平。